CC-C2-B15-0322
Numărul de produs al producătorului:

CC-C2-B15-0322

Product Overview

Producător:

CoolCAD

DiGi Electronics Cod de parte:

CC-C2-B15-0322-DG

Descriere:

SiC Power MOSFET 1200V 12A
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247

Inventar:

30 Piese Noi Originale În Stoc
13373452
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
MICE
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

CC-C2-B15-0322 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
-
Ambalaj
Bulk
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+15V, -5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 200 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-4

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3892-CC-C2-B15-0322
Pachet standard
5

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay

SIRS4302DP-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-