DMG8601UFG-7

Numărul de produs al producătorului:

DMG8601UFG-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMG8601UFG-7-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN

Descriere detaliată:

Mosfet Array 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8

Inventar:

5950 Piese Noi Originale În Stoc

12883882

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMG8601UFG-7 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caracteristică FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6.1A

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Putere - Max

920mW

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-PowerUDFN

Pachet dispozitiv furnizor

U-DFN3030-8

Numărul de bază al produsului

DMG8601

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMG8601UFG-7-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMG8601UFG-7DICT

DMG8601UFG-7DIDKR

DMG8601UFG7

DMG8601UFG-7DITR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

2N7002DWA-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

diodes

DMP2060UFDB-13

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN

diodes

DMC2710UDW-13

MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363

2N7002DW-7-G

MOSFET 2N-CH 60V SOT-363