Numărul de produs al producătorului:
DMN2025UFDB-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN2025UFDB-13-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Inventar:
12888607
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
K4d7
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN2025UFDB-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12.3nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
486pF @ 10V
Putere - Max
700mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-UDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
U-DFN2020-6 (Type B)
Numărul de bază al produsului
DMN2025
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMC4029SSD-13
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO
DMC2057UVT-13
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A TSOT26
DMG9933USD-13
MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
