Numărul de produs al producătorului:
DMT10H010LK3-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMT10H010LK3-13-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 68.8A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventar:
27879 Piese Noi Originale În Stoc
12884952
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMT10H010LK3-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
68.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
53.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2592 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
DMT10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMT10H010LK3-13DITR
DMT10H010LK3-13DIDKR
DMT10H010LK3-13DICT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN6070SFCL-7
MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
ZVN4210GTA
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
ZVP3310FTC
MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3