Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
DMTH6005LK3Q-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMTH6005LK3Q-13-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Inventar:
4862 Piese Noi Originale În Stoc
12895235
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMTH6005LK3Q-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
47.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2962 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
DMTH6005
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
DMTH6005LK3Q-13-DG
Fișe tehnice
DMTH6005LK3Q-13
Informații suplimentare
Alte nume
DMTH6005LK3Q-13-DG
DMTH6005LK3Q-13DIDKR
DMTH6005LK3Q-13DITR
DMTH6005LK3Q-13DICT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM150NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
DMN3008SFG-13
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
DMTH10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
TSM220NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN