Numărul de produs al producătorului:
FDD8896-F085
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FDD8896-F085-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
973 Piese Noi Originale În Stoc
12947023
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDD8896-F085 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta), 94A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2525 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
80W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDD8896-F085
ONSFSCFDD8896-F085
Pachet standard
614
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMS8026S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQI50N06TU
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
FDMS86152
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
