FDS8672S

Numărul de produs al producătorului:

FDS8672S

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDS8672S-DG

Descriere:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

361213 Piese Noi Originale În Stoc

12946805

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDS8672S Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Ambalare

Bulk

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

18A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

41 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2670 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-SOIC

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-FDS8672S

FAIFSCFDS8672S

Pachet standard

307

Clasificare de Mediu și Export

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

international-rectifier

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS4435BZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FQD1N60CTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1