Numărul de produs al producătorului:
G06N10
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G06N10-DG
Descriere:
N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
4752 Piese Noi Originale În Stoc
13000461
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G06N10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 50 V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3141-G06N10DKR
3141-G06N10CT
3141-G06N10TR
4822-G06N10TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM5ND50CI
500V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G75P04K
P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
GT650N15K
N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.