G30N02T
Numărul de produs al producătorului:

G30N02T

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G30N02T-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Descriere detaliată:
N-Channel 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

5000 Piese Noi Originale În Stoc
12978364
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

G30N02T Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
4822-G30N02T
Pachet standard
2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
goford-semiconductor

G08P06D3

P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.

goford-semiconductor

G08P06D3

MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L

goford-semiconductor

GT088N06T

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

goford-semiconductor

GT088N06T

MOSFET N-CH 60V 60A TO-220