Numărul de produs al producătorului:
BSC12DN20NS3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventar:
11979 Piese Noi Originale În Stoc
12798918
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC12DN20NS3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-5
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC12DN20
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC12DN20NS3GCT
BSC12DN20NS3GTR-DG
BSC12DN20NS3GATMA1CT
BSC12DN20NS3GATMA1TR
BSC12DN20NS3GTR
BSC12DN20NS3GDKR
BSC12DN20NS3GDKR-DG
BSC12DN20NS3 G
BSC12DN20NS3GATMA1DKR
BSC12DN20NS3G
BSC12DN20NS3GCT-DG
SP000781774
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRFS4010-7P
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
BSC052N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
AUIRFB4410
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
