BTS132E3045ANTMA1
Numărul de produs al producătorului:

BTS132E3045ANTMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

BTS132E3045ANTMA1-DG

Descriere:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 24A (Tc) 75W Surface Mount PG-TO220-3-5

Inventar:

13000 Piese Noi Originale În Stoc
12930791
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

BTS132E3045ANTMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Bulk
Serie
TEMPFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
75W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-5
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-BTS132E3045ANTMA1
INFINFBTS132E3045ANTMA1
Pachet standard
71

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
Not applicable
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
renesas-electronics-america

2SK974-93L-E

GENERAL SWITCHING POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SJ317NYTL-E

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

renesas-electronics-america

2SJ350

P-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

2SJ281-TL-E

PCH 4V DRIVE SERIES