Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPA60R125C6XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA60R125C6XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
478 Piese Noi Originale În Stoc
12850885
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA60R125C6XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 960µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2127 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPA60R125C6XKSA1-DG
Fișe tehnice
IPA60R125C6XKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPA60R125C6
448-IPA60R125C6XKSA1
SP000685848
IPA60R125C6XKSA1-DG
IPA60R125C6-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCPF125N65S3
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCPF125N65S3-DG
PREȚ UNIC
2.13
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF42N60M2-EP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
4931
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF42N60M2-EP-DG
PREȚ UNIC
3.34
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
R6030KNXC7
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1500
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6030KNXC7-DG
PREȚ UNIC
1.76
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6030ENX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6030ENX-DG
PREȚ UNIC
2.69
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6030KNX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
500
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6030KNX-DG
PREȚ UNIC
1.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQPF13N06L
MOSFET N-CH 60V 10A TO220F
AOT412
MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
AOD498
MOSFET N-CH 100V 2.5A/11A TO252
FQD17P06TF
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK