Numărul de produs al producătorului:
IPB019N06L3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB019N06L3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
7726 Piese Noi Originale În Stoc
12857648
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB019N06L3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 196µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
166 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
28000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB019
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB019N06L3 G-DG
IPB019N06L3G
IPB019N06L3 G
IPB019N06L3 GDKR-DG
IPB019N06L3GATMA1CT
IPB019N06L3 GDKR
IPB019N06L3GATMA1TR
IPB019N06L3 GCT-DG
IPB019N06L3GATMA1DKR
IPB019N06L3 GCT
IPB019N06L3 GTR-DG
SP000453020
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMFS4965NFT1G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
NVTFS6H850NLWFTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
NTMFS6D1N08HT1G
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
