Numărul de produs al producătorului:
IPB200N25N3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB200N25N3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
2210 Piese Noi Originale În Stoc
12801061
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB200N25N3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7100 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB200
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB200N25N3GATMA1TR
IPB200N25N3 G
IPB200N25N3 GDKR-DG
IPB200N25N3 GDKR
IPB200N25N3 GTR-DG
SP000677896
IPB200N25N3 GCT-DG
IPB200N25N3G
IPB200N25N3 GCT
IPB200N25N3GATMA1CT
IPB200N25N3 G-DG
IPB200N25N3GATMA1DKR
IPB200N25N3 GTR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
IPP040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
