Numărul de produs al producătorului:
IPB80R290C3AATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB80R290C3AATMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
9641 Piese Noi Originale În Stoc
12800224
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB80R290C3AATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB80R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB80R290C3AATMA2-DG
448-IPB80R290C3AATMA2TR
448-IPB80R290C3AATMA2DKR
448-IPB80R290C3AATMA2CT
2156-IPB80R290C3AATMA2
INFINFIPB80R290C3AATMA2
SP002890376
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
