Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPD088N06N3GBTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD088N06N3GBTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
RFQ Online
12803835
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD088N06N3GBTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 34µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD088
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPD088N06N3GBTMA1-DG
Fișe tehnice
IPD088N06N3GBTMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPD088N06N3 GTR-DG
IPD088N06N3 GCT
IPD088N06N3 GDKR-DG
IPD088N06N3 GDKR
SP000453620
IPD088N06N3 G
IPD088N06N3GBTMA1DKR
IPD088N06N3 G-DG
IPD088N06N3G
IPD088N06N3GBTMA1TR
IPD088N06N3 GCT-DG
IPD088N06N3GBTMA1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD088N06N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD088N06N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.39
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AOD2610E
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOD2610E-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SUD50N06-09L-E3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5732
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUD50N06-09L-E3-DG
PREȚ UNIC
1.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD65N55F3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2240
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD65N55F3-DG
PREȚ UNIC
0.93
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFR1018ETRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
25604
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR1018ETRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI80N04S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
IRFZ44NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
IPB80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPD068N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3