Numărul de produs al producătorului:
IPI60R299CPXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI60R299CPXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12805882
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
ZWoO
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI60R299CPXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPI60R299CPXKSA1-IT
IFEINFIPI60R299CPXKSA1
IPI60R299CP-DG
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPX
IPI60R299CP
SP000103249
IPI60R299CPAKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STI24N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1180
DiGi NUMĂR DE PARTE
STI24N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF2807L
MOSFET N-CH 75V 82A TO262
IPP60R160P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
IRLR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
