Numărul de produs al producătorului:
IPI80N06S208AKSA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI80N06S208AKSA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12802892
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI80N06S208AKSA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
215W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3-1
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI80N06
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPI80N06S208AKSA2
IPI80N06S208AKSA2-DG
SP001067886
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI80N06S407AKSA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
500
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI80N06S407AKSA2-DG
PREȚ UNIC
0.80
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFS4321-7PPBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
