Numărul de produs al producătorului:
IPI80P04P405AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI80P04P405AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12805686
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI80P04P405AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3-1
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI80P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000652620
2156-IPI80P04P405AKSA1-IT
INFINFIPI80P04P405AKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR3411PBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
IRF135S203
MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
IRFHM8334TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN