Numărul de produs al producătorului:
IPP120N20NFDAKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP120N20NFDAKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
898 Piese Noi Originale În Stoc
12804885
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP120N20NFDAKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6650 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPP120N20NFDAKSA1
2156-IPP120N20NFDAKSA1
SP001108122
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR3711ZPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
IRFR2905ZTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFR6215PBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
