Numărul de produs al producătorului:
IPP90R1K0C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP90R1K0C3XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 5.7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12851120
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Oojo
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP90R1K0C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 370µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP90R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPP90R1K0C3-DG
2156-IPP90R1K0C3XKSA1
IPP90R1K0C3
SP000683094
IFEINFIPP90R1K0C3XKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP6N95K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
418
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP6N95K5-DG
PREȚ UNIC
0.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6011END3TL1
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
R6524ENJTL
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
