Numărul de produs al producătorului:
IPW65R150CFDAFKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW65R150CFDAFKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
220 Piese Noi Originale În Stoc
12806740
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW65R150CFDAFKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
195.3W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW65R150
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000928274
2156-IPW65R150CFDAFKSA1
ROCINFIPW65R150CFDAFKSA1
Pachet standard
240
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW31N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
6
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW31N65M5-DG
PREȚ UNIC
2.20
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFC2604B
MOSFET
SPP15P10PGHKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
IRLS4030TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK