Numărul de produs al producătorului:
IRF6643TR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6643TR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
12810367
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
b4Iz
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6643TR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MZ
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MZ
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6643TR1PBFTR
IRF6643TR1PBFCT
IRF6643TR1PBFDKR
SP001554104
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6643TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
10693
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6643TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.85
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR7821TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
IRFS3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRFB3307
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
