Numărul de produs al producătorului:
IRF6711STR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6711STR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventar:
12805867
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
LkWj
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6711STR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Ta), 84A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 13 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ SQ
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric SQ
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001527012
IRF6711STR1PBFTR
IRF6711STR1PBFCT
IRF6711STR1PBFDKR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6711STRPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
4800
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6711STRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
IRFZ44ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IPA80R750P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
