Numărul de produs al producătorului:
IRF8313PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF8313PBF-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12805886
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
okIB
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF8313PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.7A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 15V
Putere - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
IRF8313
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001570694
INFINFIRF8313PBF
2156-IRF8313PBF-IT
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMN3015LSD-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
5165
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3015LSD-13-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF9953
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
IRFHS9351TR2PBF
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
IRF6723M2DTR1P
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFETMA