Numărul de produs al producătorului:
IRFL4105TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFL4105TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventar:
6035 Piese Noi Originale În Stoc
12806152
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFL4105TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
IRFL4105
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRFL4105TRPBF-DG
IRFL4105TRPBFTR
SP001551996
IRFL4105TRPBFCT
INFIRFIRFL4105TRPBF
2156-IRFL4105TRPBFINF
IRFL4105TRPBFDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
SPB100N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IPSA70R2K0P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
