IRFP4368PBFXKMA1
Numărul de produs al producătorului:

IRFP4368PBFXKMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFP4368PBFXKMA1-DG

Descriere:

TRENCH 40<-<100V
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventar:

13269396
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFP4368PBFXKMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.85mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
19230 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
-
Calificare
-
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3

Informații suplimentare

Alte nume
448-IRFP4368PBFXKMA1
SP005732706
Pachet standard
400

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRFP4368PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP4368PBF-DG
PREȚ UNIC
3.21
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRF7465TRPBFXTMA1

PLANAR 40<-<100V

infineon-technologies

IMBG65R007M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

BSB028N06NN3GXUMA2

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IMW65R015M2HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET