IRFR3706TR
Numărul de produs al producătorului:

IRFR3706TR

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFR3706TR-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 75A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

Inventar:

RFQ Online
12804575
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
7ISL
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFR3706TR Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
88W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
IRFR3706, IRFU3706

Informații suplimentare

Pachet standard
2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRF1407L

MOSFET N-CH 75V 100A TO262

infineon-technologies

IRFB7434PBF

MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

infineon-technologies

IRFR540ZTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

infineon-technologies

IRF1324S-7PPBF

MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK