IRL5602STRRPBF

Numărul de produs al producătorului:

IRL5602STRRPBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRL5602STRRPBF-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Descriere detaliată:

P-Channel 20 V 24A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

RFQ Online

12805860

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRL5602STRRPBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

24A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

44 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1460 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

75W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

D2PAK

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Resurse de proiectare

IRL5602S Saber Model

Fișa de date HTML

IRL5602STRRPBF-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

SP001576450

Pachet standard

800

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

IRF7492TR

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO

infineon-technologies

IRFB17N20D

MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB

infineon-technologies

IRFS31N20DTRRP

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

infineon-technologies

IRLZ44ZPBF

MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB