Numărul de produs al producătorului:
IRF6775MTRPBF
Product Overview
Producător:
International Rectifier
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6775MTRPBF-DG
Descriere:
IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
597 Piese Noi Originale În Stoc
12947079
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6775MTRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1411 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MZ
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MZ
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRF6775MTRPBF
INFIRFIRF6775MTRPBF
Pachet standard
249
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQPF17N40T
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
FCPF4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
FQI13N50CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
