Numărul de produs al producătorului:
GWM100-01X1-SLSAM
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
GWM100-01X1-SLSAM-DG
Descriere:
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 90A Surface Mount ISOPLUS-DIL™
Inventar:
12910852
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
dKoB
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
GWM100-01X1-SLSAM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
-
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
17-SMD, Flat Leads
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS-DIL™
Numărul de bază al produsului
GWM100
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
GWM100-01X1-SL SAM-DG
GWM100-01X1-SL SAM
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
GWM100-01X1-SL
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
SI5509DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
BUK9K20-80EX
MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
