IXFA12N65X2

Numărul de produs al producătorului:

IXFA12N65X2

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFA12N65X2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

Descriere detaliată:

N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

Inventar:

288 Piese Noi Originale În Stoc

12914115

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFA12N65X2 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

HiPerFET™, Ultra X2

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

18.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1134 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

180W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263AA (IXFA)

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IXFA12

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFX170N20T

MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3

vishay-siliconix

IRFR120PBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFP054PBF

MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

SI5482DU-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK