Numărul de produs al producătorului:
IXFH20N85X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH20N85X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 850 V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
271 Piese Noi Originale În Stoc
12819301
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH20N85X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
850 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
540W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH20
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
IXFH23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
