Numărul de produs al producătorului:
IXFK120N30T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK120N30T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 120A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
12820572
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK120N30T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
20000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTT74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A TO268
IXFR40N90P
MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247
IXFP72N20X3M
MOSFET N-CH 200V 72A TO220