Numărul de produs al producătorului:
IXFP4N85XM
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFP4N85XM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12819540
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
3aT3
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFP4N85XM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
850 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
247 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IXFP4N85
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK7A90E,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
95
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK7A90E,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN70N100X
MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXFX360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
