Numărul de produs al producătorului:
IXFR32N80Q3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFR32N80Q3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 24A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
57 Piese Noi Originale În Stoc
12908620
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFR32N80Q3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Q3 Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6940 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFR32
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXFR32N80Q3
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR11N25D
MOSFET N-CH 250V DPAK
IRFP27N60K
MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
IRFBG20PBF
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
