Numărul de produs al producătorului:
IXTK120N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTK120N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventar:
12821667
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTK120N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264 (IXTK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXTK120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
IXFN300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
IXTA200N085T7
MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7