IXTP80N075L2
Numărul de produs al producătorului:

IXTP80N075L2

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTP80N075L2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

43 Piese Noi Originale În Stoc
12902839
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTP80N075L2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Linear L2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
357W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP80

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
-IXTP80N075L2
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXTH80N075L2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
226
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH80N075L2-DG
PREȚ UNIC
4.29
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

ZXMP3A16N8TA

MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO

diodes

ZXMP7A17GTA

MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

diodes

DMP2023UFDF-13

MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN

fairchild-semiconductor

FQP11N40

MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3