Numărul de produs al producătorului:
IXTX210P10T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTX210P10T-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 210A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
419 Piese Noi Originale În Stoc
12820598
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTX210P10T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
TrenchP™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
740 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
69500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS247™-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
IXTX210
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTK170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO264
IXTH280N055T
MOSFET N-CH 55V 280A TO247
IXFT7N90Q
MOSFET N-CH 900V 7A TO268
