Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
APT25M100J
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
APT25M100J-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Inventar:
RFQ Online
13256468
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
7
J
n
y
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT25M100J Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9835 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
545W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
ISOTOP®
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
APT25M100
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
APT25M100J
High-Voltage Power Discretes and Modules
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN30N120P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN30N120P-DG
PREȚ UNIC
46.25
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT8030LVRG
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
APT10045B2FLLG
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
APT5024BLLG
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
APT10045B2LLG
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX