Numărul de produs al producătorului:
APT58M80J
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
APT58M80J-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 60A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventar:
2 Piese Noi Originale În Stoc
13248223
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT58M80J Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
17550 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
APT58M80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
APT58M80JMI-ND
APT58M80JMI
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN62N80Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
8
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN62N80Q3-DG
PREȚ UNIC
44.05
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFN48N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
20
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN48N60P-DG
PREȚ UNIC
18.51
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
APT6040BNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT12057B2LLG
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
