Numărul de produs al producătorului:

APTM120DA30T1G

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APTM120DA30T1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1

Inventar:

RFQ Online

13257524

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

APTM120DA30T1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microchip Technology

Ambalare

Bulk

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

31A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

560 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

14560 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

657W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SP1

Pachet / Carcasă

SP1

Numărul de bază al produsului

APTM120

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

APTM120DA30T1G High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

microchip-technology

APT30M19JVR

MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP

microchip-technology

APT8011JLL

MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP

microchip-technology

APT6021SFLLG

MOSFET N-CH 600V 29A D3PAK

microsemi

APT8024LLLG

MOSFET N-CH 800V 31A TO264