Numărul de produs al producătorului:
JAN2N7335
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
JAN2N7335-DG
Descriere:
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 750mA 1.4W Through Hole
Inventar:
12930203
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
I6He
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
JAN2N7335 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
4 P-Channel
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
750mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.4W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Military
Calificare
MIL-PRF-19500/599
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Numărul de bază al produsului
2N733
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
JAN2N7335-MIL
150-JAN2N7335
JAN2N7335-DG
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON2812
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 6DFN
SP8K33TB1
MOSFET 2N-CH 60V 8SOP
LP8M3FP8TB1
MOSFET N-CH SOP8G
