PMPB07R3ENAX
Numărul de produs al producătorului:

PMPB07R3ENAX

Product Overview

Producător:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PMPB07R3ENAX-DG

Descriere:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020M-6

Inventar:

3000 Piese Noi Originale În Stoc
13001002
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PMPB07R3ENAX Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
914 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DFN2020M-6
Pachet / Carcasă
6-UDFN Exposed Pad

Informații suplimentare

Alte nume
1727-PMPB07R3ENAXCT
1727-PMPB07R3ENAXDKR
1727-PMPB07R3ENAXTR
5202-PMPB07R3ENAXTR
934662428184
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
taiwan-semiconductor

TSM038N03PQ33

30V, 78A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G28N03D3

MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L

onsemi

FDMT800120DC-22897

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER