Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PMV65XPVL
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PMV65XPVL-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
9085 Piese Noi Originale În Stoc
12828586
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PMV65XPVL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
744 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
480mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-236AB
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
PMV65
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
PMV65XPVL-DG
Fișe tehnice
PMV65XPVL
Informații suplimentare
Alte nume
5202-PMV65XPVLTR
PMV65XPVL-DG
1727-PMV65XPVLTR
1727-PMV65XPVLCT
1727-PMV65XPVLDKR
934058736235
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PMZ320UPEYL
MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
PH5030AL,115
MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
PSMN5R6-100YSFX
MOSFET N-CH 100V 158A LFPAK56
BSS138AKA/LF1R
MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB