Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
2SB817C-1E
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2SB817C-1E-DG
Descriere:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
Inventar:
RFQ Online
12837070
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
p
o
i
J
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SB817C-1E Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
PNP
Curent - Colector (Ic) (Max)
12 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
140 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Curent - Întrerupere colector (Max)
100µA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Putere - Max
120 W
Frecvență - Tranziție
10MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P-3L
Numărul de bază al produsului
2SB817
Informații suplimentare
Alte nume
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FJA4210OTU
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
392
DiGi NUMĂR DE PARTE
FJA4210OTU-DG
PREȚ UNIC
1.81
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
2SA1386
PRODUCĂTOR
Sanken Electric USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
2SA1386-DG
PREȚ UNIC
2.19
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MMBT2222AT-TP
TRANS NPN 40V 0.6A SOT523
2SC4211-6-TL-E
TRANS NPN 50V 0.15A MCP
BC637RL1G
TRANS NPN 60V 1A TO92
BC558BTA
TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3