Numărul de produs al producătorului:
EFC6601R-TR
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
EFC6601R-TR-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Descriere detaliată:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Inventar:
12838846
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
63gn
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EFC6601R-TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
-
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
2W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-XFBGA, FCBGA
Pachet dispozitiv furnizor
EFCP2718-6CE-020
Numărul de bază al produsului
EFC6601
Informații suplimentare
Alte nume
EFC6601R-TROSCT
2156-EFC6601R-TR-OS
ONSONSEFC6601R-TR
EFC6601R-TR-DG
EFC6601R-TROSDKR
EFC6601R-TROSTR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDW2507N
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
ECH8660-S-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
FDS6984AS
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
