FDD6672A

Numărul de produs al producătorului:

FDD6672A

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDD6672A-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 65A TO252

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 65A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

RFQ Online

12850041

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDD6672A Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

PowerTrench®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

65A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

46 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±12V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

5070 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.2W (Ta), 70W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-252AA

Pachet / Carcasă

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numărul de bază al produsului

FDD667

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FQA10N60C

MOSFET N-CH 600V 10A TO3P

onsemi

FQI27N25TU

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

onsemi

FCPF190N60

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AON6268

MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN