Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FDS8960C
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS8960C-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 35V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
RFQ Online
12851270
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS8960C Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
35V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A, 5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 15V
Putere - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
FDS89
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FDS8960C-DG
Fișe tehnice
FDS8960C
Informații suplimentare
Alte nume
FDS8960CCT
FDS8960CDKR
FDS8960CTR
FDS8960C-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS4897C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
17169
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS4897C-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
MCH6663-TL-W
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A SC88FL
MMDF1N05ER2G
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
19MT050XF
MOSFET 4N-CH 500V 31A 16MTP