Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Moldova
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Moldova
Comutare:
Engleză
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
MMBF170LT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
MMBF170LT1G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
22573 Piese Noi Originale În Stoc
12842007
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
p
e
d
l
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
MMBF170LT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
225mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
MMBF170
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
MMBF170LT1G-DG
Fișe tehnice
MMBF170LT1G
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONSMMBF170LT1G
MMBF170LT1GOSDKR
MMBF170LT1GOS
MMBF170LT1GOSTR
MMBF170LT1GOSCT
2156-MMBF170LT1G-OS
MMBF170LT1GOS-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMS4404NR2
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
2SK1374G0L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2
SI9424DY
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
NTMS5838NLR2G
MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC